半导体指标含量检测

检测项目

1. 关键金属杂质分析：铁、铜、镍、铬、锌、铝、钙、钠、钾等痕量金属含量。

2. 掺杂元素浓度测定：硼、磷、砷、锑等掺杂剂的浓度与分布分析。

3. 高纯气体成分检测：氮气、氢气、氩气、氦气中氧气、水分、烃类、一氧化碳、二氧化碳等杂质含量。

4. 工艺化学品纯度分析：蚀刻液、清洗剂、光刻胶、显影液、剥离液中金属杂质、颗粒物及有机污染物含量。

5. 硅片本体性质检测：电阻率、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体缺陷密度。

6. 薄膜组分与厚度分析：二氧化硅、氮化硅、多晶硅、金属薄膜的元素组成、化学计量比及膜厚测量。

7. 表面有机污染物鉴定：硅片表面残留的有机酸、酯类、硅氧烷、光刻胶残留物等。

8. 离子注入剂量与分布：注入离子的剂量、结深及纵向浓度分布。

9. 颗粒污染监控：硅片表面及工艺液体中特定尺寸范围内的颗粒数量与分布。

10. 高纯金属材料分析：溅射靶材、蒸发源材料中的痕量杂质元素含量。

11. 晶体结构完整性测试：晶向、位错密度、滑移线等晶体缺陷表征。

检测范围

单晶硅片、硅外延片、砷化镓衬底、氮化镓外延片、光刻胶、蚀刻液、化学机械研磨液、显影液、高纯硫酸、高纯过氧化氢、高纯氨水、高纯氮气、高纯氩气、高纯氦气、硅烷气体、磷烷气体、硼烷气体、铜靶材、铝靶材、钛靶材、钨靶材

检测设备

1. 电感耦合等离子体质谱仪：用于超高灵敏度的痕量及超痕量金属元素分析，检测限极低。

2. 二次离子质谱仪：用于元素及同位素的深度剖析与面分布分析，具有出色的深度分辨率。

3. 辉光放电质谱仪：用于固体导体材料中从主量到痕量元素的快速直接分析。

4. 气相色谱-质谱联用仪：用于工艺气体及表面挥发性有机污染物的定性与定量分析。

5. 傅里叶变换红外光谱仪：用于硅片中间隙氧、替代碳等轻元素含量的非破坏性测定。

6. 四探针电阻测试仪：用于半导体晶片及薄膜的电阻率、方块电阻等电学参数测量。

7. 全反射X射线荧光光谱仪：用于硅片表面痕量金属污染物的快速、非破坏性检测。

8. 粒子计数仪：用于液体化学品或硅片表面特定尺寸颗粒的数量统计与监控。

9. 椭偏仪：用于薄膜厚度、光学常数及均匀性的高精度非接触式测量。

10. 高分辨率X射线衍射仪：用于外延层厚度、组分、应变及晶体质量的精确表征。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.